线性集成电路的制作工艺

大多数线性集成电路采用标准双极型工艺制造。为获得高性能电路，有时在标准工艺基础上作某些修改或采取附加的制造工序，以便在同一芯片上制作不同性能的各种元件和器件。

双极-场效应相容技术 在双极型芯片上制作高性能结型场效应晶体管的技术。当芯片上NPN管形成后,分别用两次离子注入技术掺杂形成低浓度P-型沟道和高浓度N+型栅区（图1

）。其栅-漏击穿电压可达50～60伏,夹断电压可控制在1伏左右。

超增益晶体管共发射极电流增益高达1000～5000的NPN晶体管。用离子注入技术制作基区,基区掺杂浓度比通常NPN管基区低一个数量级，基区厚度也比通常NPN管基区更薄（图2）。

亚表面击穿二极管通常的击穿二极管利用 NPN晶体管的eb结，其击穿现象发生在结表面。而亚表面击穿二极管则是在N+型发射区下用离子注入法制作一个高浓度P+型层,在表面下方深处形成一个N+-P+结（图3）。这种晶体管的击穿电压低于表面结的击穿电压，击穿过程不受表面状况的影响，噪音低，并且具有良好的长期稳定性。

IC制造技术有两种，一种是单片技术，另一种是混合技术。在单片技术中，所有电子元件及其互连都一起制造成单个硅芯片。该技术适用于大规模生产相同的IC。单片 IC 便宜但可靠。

在混合 IC 中，单独的组件附着在陶瓷物质上，并通过导线或金属化图案相互连接。