你的本意是要问内建电势吧(当然两者变化的趋势也应该 是一样的),PN结的内建电势与能带宽度Eg有关,Eg越大,本征载流子浓度越小,内建电势越大(参考突变结的公式就可以看出),比如硅的能带宽度比锗大,所以,内建电势就更大。绝大多数半导体能带宽度Eg都是随温度升高而减小的,所以内建电势随温度升高要减小。当然也有特例,比如PbS的Eg随温度升高增加。
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