晶体管哪些电学参数与集电区的杂质浓度、厚度有关

晶体管集电区的杂质浓度、厚度，这两个涉及到晶体管的基本构造形式，是晶体管最基础的东西，基本上所有涉及晶体管的参数都会影响到。要想弄清楚具体怎么影响，就好好读读晶体管设计原理，构造形式，电子电器特性，电路应用等。

另外百度些晶体管相关电学参数，共同学习：

晶体管主要参数

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

电流放大系数

电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。

根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。

1、直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。

2、交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。

hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。

耗散功率

耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。

耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。

通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。

频率特性

晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。

晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。

1、特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。

通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。

2、最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。

通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。

集电极最大电流ICM

集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。

最大反向电压

最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。

1、集电极——集电极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。

2、基极—— 基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。

3、发射极——发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。

反向电流

晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。

1．集电极——基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。

2．集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。

电路板如何提金

信号杂质通常是指与所关注信号不相关的无用信号，可能包括以下内容：

外部电磁干扰，例如，来自电力线，无线电，广播或其他电子设备的干扰信号。

内部噪声：即由器件或电路内部引起的随机噪声，如热噪声，量子噪声等。

心跳失真：由于传输过程中发生的衰减，失真和干扰，使得信号形态发生改变。

人为干扰：例如机械振动，风吹动导线等因素引起的干扰。

需要注意的是，这里劣迹的只是信号杂质的一部分可能因素，实际上还有很多其他因素影响信号

方法步骤：

1、首先将原料废板上面的元器件与基板PCB分开，主要通过260-350度高温加热分离，目前ROHS认真的无铅板熔点较高；

2、将分解后的芯片分类切割开，CPU单独提取，大的电解电容剔除，电容容易爆开，同时电源线材剪掉，减少提料体积，可以提高提炼效率；

3、拆解下来的原件要进一步细分，主要区分CPU、南北桥芯片、镀金针集成、晶体管和各类电容；

4、清理电路板表面的杂质，主要是残留锡渣和松香、灰尘泥土，可用浓度不高的弱酸清洗干净；

5、分离切割的芯片内废料的除杂，主要清理电子引脚、残余锡渣、松香、胶体及其它非金属杂志；

6、各项除杂后开始分类粉碎，市场上有专门的电路板粉碎机，可以提高出金或出银率，目前主要分离粉碎了三类原料：芯片、电容类、线路板；

7、线路板及CPU进行提金操作，主要用王水载金，可以得到海绵金。