1-假如导体与p区没有形成PN结。“......p区的电子是如何流向导体的”。
答：在pn结节加正向电压的时候，n区的多子（自由电子）获得能量，越过pn结的势垒从n区流向p区。在p区的自由电子一边与p区的空穴复合，一边继续扩散通过p区，直到进入导体......
2-假如导体与p区没有形成PN结。“如果加反向电压，为什么不能：导体上来自于电源负极的电子流向p区，然后p区的电子再流向n区......”。
答：加上反向电压时，由于p区的导带上本来就没有自由电子，如果从价带上把价电子激发到导带上，加了一般的反向电压，也不能做到。所以，加上反向电压时，是没有自由电子从p区进入n区的。这样相当于电路在pn结处开路了，来自于电源负极的电子就由于没有电流而无法流到p区了......
3-“导体中电子也是多数载流子，为什么不能与p区形成另外一个pn结”。
答：其实，任何两种材料，只要他们的费米能级不一样，接触后都可以成为pn结。有了pn结就会有单向导电性。但有时我们并不需要单向导电性，我们需要欧姆接触（比如本题）。怎么办，方法之一：在p区与导体接触处进行高浓度掺杂。这样当导体与p区形成pn结后，就会出现”pn结的隧道效应“。无论接上正向电压，还是反向电压，pn结都有电流通过，这正是我们需要的。比如：一个整流二极管的p区和n区，它们与管脚的连接处，按以上处理就可以做到欧姆接触（而不是又多了两个pn结）......
电子和电流方向相反，过程可以这样描述 ：电子先进入n区，汇合n区自带的电子，在与内电场方向相反的外电场的作用下，打破扩散运动和内电场所构成的原有的动态平衡，一起做扩散运动，穿过pn节这个空乏区，扩散进p区，在p区确实发生了一些复合，但是p区的空穴数量有限，而电源提供的电流是源源不断的，只要电压大于死区电压 就可以不停地发生扩散，就能导通
以上是本人的理解，你还可以参考下面的资料
1 PN结的形成：
在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内电子很多而空穴很少，而P型区内空穴很多电子很少，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差别。这样，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。于是，有一些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个很薄的空间电荷区，就是所谓的PN结。扩散越强，空间电荷区越宽。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。在出现了空间电荷区以后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区就形成了一个内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反它是阻止扩散的。另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄。当漂移运动达到和扩散运动相等时，PN结便处于动态平衡状态。内电场促使少子漂移，阻止多子扩散。最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。
2 PN结的单向导电性
当外加电压使PN结中P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；反之称为加反向电压，简称反偏。
(1) PN结加正向电压时：
在正向电压的作用下，PN结的平衡状态被打破，P区中的多数载流子空穴和N区中的多数载流子电子都要向PN结移动，当P区空穴进入PN结后，就要和原来的一部分负离子中和，使P区的空间电荷量减少。同样，当N区电子进入PN结时，中和了部分正离子，使N区的空间电荷量减少，结果使PN结变窄，即耗尽区厚变薄，由于这时耗尽区中载流子增加，因而电阻减小。势垒降低使P区和N区中能越过这个势垒的多数载流子大大增加，形成扩散电流。在这种情况下，由少数载流了形成的漂移电流，其方向与扩散电流相反，和正向电流比较，其数值很小，可忽略不计。这时PN结内的电流由起支配地位的扩散电流所决定。在外电路上形成一个流入P区的电流，称为正向电流IF。当外加电压VF稍有变化（如O.1V），便能引起电流的显著变化，因此电流IF是随外加电压急速上升的。这时，正向的PN结表现为一个很小的电阻。在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。
望采纳 (∩_∩)
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