电阻
基本单位:欧姆,简称欧,符号Ω
换算单位:千欧(kΩ)、兆欧(MΩ)、吉欧(GΩ)
换算值:
1000欧姆=1千欧
1000千欧=1兆欧
1000兆欧=1吉欧
电压
基本单位:伏特,简称伏,符号V
换算单位:千伏(kV)、毫伏(mV)、微伏(μV)
换算值:
1千伏=1000伏
1伏=1000毫伏=1000000微伏
电流
基本单位:安培,简称安,符号A
换算单位:千安(kA)、毫安(mA)、微安(μA)
换算值:
1千安=1000安
1安=1000毫安=1000000微安
电功率
表示消耗电能快慢的物理量,一个用电器功率的大小等于它在1秒内所消耗的电能
单位瓦特
简称瓦
单位符号用w(是小写的w,大写的是电能的符号)
常用的单位还有毫瓦(mW)、千瓦(kW),它们与W的换算关系是:1
W
=
1000
mW;1kw=1000W
电能
电能是表示电流做多少功的物理量
单位焦耳
简称焦
单位符号用W
(千瓦时,是"度"的学名。符号是kW·h;更常用的单位是焦耳(joule),简称“焦”符号是J)
电能换算:1kW·h=3.6×10^6J
欧姆定律U=IR
即电压=电阻乘电流
电压一定时:电阻和电流成反比
电阻一定时:电压和电流成正比
注(不可以反过来说
如:电阻和电流成反比
是因为电压一定。因为电阻的阻值是不可改变的!
变形公式为I=U/R
R=U/I
电功率的公式
P=UI
W=Pt
即电功率=电流乘电压
电能=电功率乘时间
变形公式
I=P/U
U=P/I
P=U的平方除R
P=I的平方乘R
t=W/P
P=W/t
串联电路中的公式
I总=I1=I2
U总=U1+U2
R总=R1+R2
R1:R2=U1:U2
P1:P2=R1:R2
并联电路中
U总=U1+U2
I总=I1+I2
R总/1=R1/1+R2/1
R总=(R1+R2)/(R1乘R2)
P1;P2=R2:R1
欧姆是什么单位
1兆欧等于1000千欧等于1000000欧,即10的六次方欧。欧姆,实用米千克秒制中的电阻单位,它等于在线路上加一伏电位差产生一安培电流时的电阻值,或等于线路通过一安培电流释放一瓦功率时的电阻值。电阻单位,在直流电路中,电路电压为1伏特,电流为1安培时,电路电阻即为1欧姆。这个单位是为纪念德国物理学家欧姆而命名的。
1兆欧等于1000千欧等于1000000欧,即10的六次方欧。
欧姆,实用米千克秒制中的电阻单位,它等于在线路上加一伏电位差产生一安培电流时的电阻值,或等于线路通过一安培电流释放一瓦功率时的电阻值。
电阻单位,在直流电路中,电路电压为1伏特,电流为1安培时,电路电阻即为1欧姆。这个单位是为纪念德国物理学家欧姆而命名的。
欧姆是电阻单位,简称“欧”,符号为Ω。
德国物理学家格奥尔格·欧姆发现了欧姆定律,即1A的电流通过1Ω的电阻会产生1V的压降,为了纪念他的贡献以他的名字命名电阻的单位。
比1欧姆小的电阻可以用毫欧、微欧等单位表示。1欧姆(Ω)=1000毫欧(mΩ),1毫欧(mΩ)=1000微欧(μΩ)。
比1欧姆大的电阻可以用千欧、兆欧等单位表示。1千欧(kΩ)=1000欧(Ω),1兆欧(MΩ)=1000千欧(kΩ)。
欧姆接触
欧姆接触是指金属与半导体的接触,而其接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻,使得组件操作时,大部分的电压降在于活动区(Activeregion)而不在接触面。
欲形成好的欧姆接触,有二个先决条件:
1、金属与半导体间有低的界面能障(Barrier Height)。
2、半导体有高浓度的杂质掺入(N≧10×e12/cm3)。
前者可使界面电流中热激发部分增加;后者则使界面空乏区变窄,电子有更多的机会直接穿透(Tunneling),而同使Rc阻值降低。
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