PN结的单向导电性是什么？

PN结正偏时导通，呈现很小的电阻，形成较大的正向电流；PN结反偏时截止,呈现很大的电阻,反向电流近似为零。

通常的说法是在不加外电压时，这个PN结中P区的多子是空穴，N区的多子是电子（通常只考虑多子），因为浓度差，载流子必然向浓度低的方向扩散。在扩散前，P区与N区的正负电荷是相等的，呈电中性。当P区空穴向N区移动时，就在PN结边界处留下了不能移动的负离子，用带蓝圈的负电荷表示； 当N区自由电子向P区移动时， 就在PN结边界处留下了不能移动的正离子，用带红圈的正电荷表示，这样就在空间电荷区内产生了一个内建电场Upn，电场的方向是由N区指向P区的。

在扩散作用下随着Upn增大，载流子受到电场力Upn的作用而做漂移运动，它的方向与扩散运动相反，最终使载流子扩散与漂移达到动态平衡，形成了空间电荷区，如图3所示。

当外加正向偏压时，电源E提供大量的空穴和电子，E的电场方向与Upn的电场方向相反，空间电荷区被两种载流子复合而消弱变窄，载流子容易通过扩散加强，呈现低阻状态。

当外加反向偏压时，它的电场方向与Upn的电场方向一致，空间电荷区被增厚变宽，载流子不易通过扩散减弱，呈现高阻状态。此时仅有两侧的少子，也就是N区的空穴和P区的电子在Upn电场力作用下做漂移运动，形成较小的反向饱和电流IS，直至击穿为止，其电流按二极管方程规律变化，这就是PN结的单向导电性原理。

采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

参考资料：

百度百科词条 PN结

pn二极管即由p区和n区构成，p区多数载子为空穴（＋），n区多子为电子（－），结合在一起之后结合处空穴与电子复合形成一定宽度的耗尽区，同时p区一段距离内留下不能移动的负电荷，n区一段距离内留下不能移动的正电荷，这一段耗尽区又称为空间电荷区，内形成电场，方向从n区指向p区。电场力量导致载流子的漂移运动，电子p－>n，空穴n－>p，而本省p和n区的载流子浓度又造成相应的扩散运动，电子n－>p，空穴p－>n，这两种运动会达成一定的平衡。如果pn结加正向偏置电压p（＋）n（－）就会加据扩散运动而抑制飘逸运动，当然扩散运动是多子的扩散，所以加正向电压会形成一定的电流。如果pn结加反向偏置电压p（－）n（＋）就会加据飘逸运动而抑制扩散运动，因为飘逸运动是少子的飘逸，所以反向电压如果小于一定程度电流是比较小的，可以忽略。但是若反向电压如果到达一定程度，pn结会被击穿，这里有三种机制导致：1.雪崩击穿因为耗尽区的电场方向和外加电场方向一致，导致电场很大，电子在电场中被加速到一定的速度之后撞击晶格形成电子－空穴对，被撞击出来的电子又被加速撞击其他的晶格......这样反复形成很多载流子在电常方向上运动从而形成电流。因为效果很象雪崩效应，所以叫雪崩击穿。多见于pn结浓度较低，耗尽区叫宽的pn结。2.齐纳击穿多见于pn结惨杂浓度较高的pn结。因为耗尽区电场很大，强电场直接破坏晶格形成电子－空穴对，电子－空穴对又在电场下运动从而形成电流。3.热电击穿未击穿时反向电流虽小，但是乘于反向电压也会有一定的耗散功率产生，功耗产生热。如果散热不好温度上升，因为反向电流是随着温度成指数关系上升的，所以当温度上升到一定之后，电流会很大，造成击穿。pn结的i－v curve可知道，pn结反向击穿后电流迅速上升但是电压却变化的很慢，所以所以此时的pn结可以用来做稳压管。

参考资料：

semiconductor physics