石英晶体振荡器的检测方法有哪些？？？

网友“啊姗笨蛋0238”的说法不正确。楼主问的是石英晶体振荡器，而不是石英晶体谐振器。

石英晶体振荡器通常都有3个以上引脚，分别为Vcc+、Vcc-和信号输出端。三个引脚内部均与IC相连接，因此内阻不一定是无穷大。

由于内有IC及IC的外围电路、石英晶振及其负载电容，因此用电容法测量也是不科学的。

最简单直接的方法是将Vcc+、Vcc-加电，并在信号输出端接示波器和频率计进行测量。说明一点有很多的晶体振荡器输出端负载能力较差，你要把测量接连电缆也看成是端接负载，因此普通钟振在测量时要用示波器的高阻探头测量，并且电缆越短越好。

石英晶体振荡器生产商在加工时，一般都有自己的产品检验规范，军品或特定型号的检验规范是要国家机关审批的。把它要来，照着检验就行。

如果没有生产商的检验规范，可参考如下标准检验：

SJ/T 10638-1995 《石英晶体振荡器测试方法》

     GB 12274-1990 《石英晶体振荡器总规范》

       GB/T 122741-2012 《有质量评定的石英晶体振荡器 第1部分：总规范》

简单的晶体三极管配对测试仪的制作

u1 - u3 = 07V；

又 u1>u2，则 该三极管为NPN，u1端为基极，u3端为发射极，u2端为集电极；

又 u2 - u3 = 03V，表明三极管处在饱和区；

共射放大电路,晶体三极管的β=50后来计算为什么变100了

也叫 三极管 sān jí ɡuǎn　晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。

半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管[font color=#000000]是电路中[/font]应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。

半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称路最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

三极管的导通 三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的直流偏置，随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变， 如果三极管Ib（直流偏置点）一定时，三极管工作在线性区，此时Ic电流的变化只随着Ib的交流信号变化，Ib继续升高，三极管进入饱和状态，此时三极管的Ic不再变化，三极管将工作在开关状态。

三极管为开关管使用时工作在饱和状态1，用放大状态1表示不是很科学。

请对照三极管手册的Ib；Ic曲线加以参考我的回答来理解三极管的工作状态，三极管be结和ce结导通三极管才能正常工作。

如果三极管没有加直流偏置时，放大电路时输入的交流正弦信号正半周时，基极对发射极而言是正的，由于发射结加的是反向电压，此时没有基极电流和集电极电流，此时集电极电流变化与基极反相，在输入电压的负半周，发射极电位对于基极电位为正的，此时由于发射极加的是正向电压，才有基极和集电极电流通过，此时集电极电流变化与基极同相， 在三极管没有加直流偏置时三极管be结和ce结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。

晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性，主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程，进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，但是绝大多数的晶体管是和电阻、电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的成本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达289亿个。

晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。

因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视、广播和报纸。

测量场效应晶体管放大电路输入电阻时可以采用其他测量方法吗

β=50时，AU计算出来100是可能的。AU=-βRL//RC/RBE，假设RL=5K

RC=5K,那么两个并联数字是25K，RBE=1K，所以AU=-5025/1=125倍。

测试晶体管穿透电流的原理

测量场效应晶体管（FET）放大电路输入电阻有多种方法，其中一些常用的包括：

1 电路法：将一个已知电阻值的电阻器作为信号源接入电路的输入，然后测量电路输入和输出信号的幅度并计算出电路输入电阻。

2 恒流源法：利用一个稳定的恒流源，将其接入电路的输入端口并测量对应的电压变化。根据欧姆定律可以计算出电路的输入电阻。

此外，还有其他一些方法可以用来测量FET放大电路的输入电阻，例如反向隔离法、负反馈法等。这些方法都有不同的优缺点，可根据具体情况选择适合的方法。需要注意的是，无论采用何种方法，都需要正确连接测试仪器，严格按照测试步骤进行操作，以确保测量结果的准确性和可靠性。

测试晶体管穿透电流的原理晶体管基极开路时，集电极到发射极间的反向截止电流。晶体三极管的穿透电流的大小随温度的升高而升高，通过测试Iceo的大小，就可以判断出三极管质量好坏。Iceo大的管子电流损耗大，温度易升高，工作不稳定。Iceo越小越好。在常温下，小功率硅管在几微安以下。由于少数载流子受外界温度影响，温度升高穿透电流迅速增大，晶体管的稳定性越差，噪声系数及功耗也越大。当制作高稳定电路时，必须选用穿透电流小的晶体管。穿透电流是不可控制的电流，它增加了功率损耗，在温度变化时它也变化，这个变化的电流送到负载就产生了随温度变化的噪声。