初二物理课堂笔记

第六章：电压电阻 第一节：电压教学目标 新课引入 前面我们学习了电流，学习了电学中第一个物理量我们一起来复习一下。教师提问：电流的物理意义，表示符号，单位，测量，串联并联电路的电流特点。 我们将从这几个方面来学习电压。 电压 电压教师讲解：以水压比喻为电压，引入电压的作用。学生阅读：4页第一段演示实验：想想做做，连两节干电池的小灯泡比较亮，说明两节电池有更大的电压。教师讲解：更正电路中产生电流的原因是电路闭和和电压板书设计：电流：电路闭和 电压教师讲解：与电流的各种参数一起来讲解电压的参数板书设计：一电压：符号：U 单位：V kv mv小资料教师讲解：小资料中各种电压值，加深学生对电压的理解板书设计：干电池：U=15V 家庭电路：U=220V 安全电压：不高于36V 电压表 电压表教师讲解：参照电流表来讲解电压表，回答书上第5页的问题1， 电压表并联（电压表相当于断路）2， 红接线柱接电池正极，黑接线柱接电源负极3， 0—3V和0—15V两个量程4， 在不知道被测电压的情况下要用大量程，而且试触板书设计：二电压表： 并联 红正 黑负 0—3V 0—15V学生实验：练习使用电压表电压表的读数教师讲解：0—3V的分度值是01V，0—15V的分度制是05V教师讲解：电压表读数的步骤1， 确定量程2， 确定格数想想做做演示实验：电池的串联和并联板书设计：电池：串联：15n 并联：15 板书设计 电压电流：电路闭和 电压一，电压：符号：U 单位：V kv mv 二电压表：并联 红正 黑负 0—3V 0—15V电池：串联：15n 并联：15信息反馈 第二节：探究串、并联电路电压的规律教学目标 引入新课 复习引入：复习串并联电路电流的关系 串联电路 提出问题：串联电路中各部分电路的电压有什么关系提出问题：让学生自己设计电路图，设计实验。学生实验：探究串联电路电压规律，记录实验数据，分析实验数据得出结论。板书设计：串联电路各部分电压和等于电源电压注意事项：为了确保实验的准确性，进行两次实验，注意电压表量程的选取 并联电路 提出问题：并联电路中各部分电路的电压有什么关系提出问题：让学生自己设计电路图，设计实验。学生实验：探究串联电路电压规律，记录实验数据，分析实验数据得出结论。板书设计：并联电路各部分电压相等等于电源电压注意事项：为了确保实验的准确性，进行两次实验，注意电压表量程的选取学生阅读：14页费旧电池的危害，使学生意识到保护环境的重要 板书设计 探究串并联电路电压规律1，串联电路各部分电压和等于电源电压 2，并联电路各部分电压相等等于电源电压信息反馈 第三节：电阻教学目标 引入新课 通过表格复习电流和电压的各个参数，今天我们来学电学中的第三个物理量电阻 电阻 演示实验：发现接入铜丝时灯泡比接入镍镉合金时亮，以此实验引入电电阻的物理意义。板书设计：电阻：物理意义：导体对电流的阻碍作用（属性） 符号：R 单位：Ω MΩ KΩ 决定电阻大小因素 学生看图：15页右下角的图，导电能力有所不同，那么，电阻的大小与什么有关？学生回答：电阻的大小与材料有关，导电能力最好的是教师讲解：用水流比做电流，用水管比做电阻，水管越粗，水流越容易通过，阻碍越小，电阻越小演示实验：验证导体越粗，电阻越小教师讲解：水管越长，水流越难通过，阻碍越大，电阻越大。演示实验：验证倒替越细，电阻越大教师讲解：导体的电阻是导体本身的属性，属性就是不变的。板书设计：二，有关因素：材料 长度 横截面积 科学世界 半导体教师讲解：导电性能介于金属和非金属之间，或者导电能力会变化 应用：热敏电阻，压敏电阻，等等超导现象教师讲解：超导现象就是电阻变为零。现在在开发高温超导。超导在实际生活中的应用 板书设计 电阻一，电阻：物理意义：导体对电流的阻碍作用（属性） 符号：R 单位：Ω MΩ KΩ二，有关因素：材料 长度 横截面积信息反馈 四：变阻器教学目标 引入新课 前面我们讲了电阻，了解了电阻的物理意义是导体对电流的阻碍作用，也看到了一些定值电阻，那么如果我想办法改变电阻的大小，它能为我们做什么呢？ 变阻器 想想做做演示实验：把碳棒连在小灯泡上，改变碳棒的长度，发现小灯泡的亮度改变，提出问题：为什么小灯泡的亮度会改变，碳棒的电阻改变了吗？那为什么电路的电阻改变了？由此你想到了那些应用变阻器实物演示：介绍滑动变阻器的各个构造：滑片，上下四个接线柱，金属杆，电阻丝教师讲解：滑动变阻器的接线 教师讲解：滑动变阻器的原理是改变连入电路的电阻长度来改变电阻。板书设计：一，滑动变阻器：原理：改变连入电路的电阻长度 滑片，四个接线柱，金属杆 电阻丝 用变阻器改变灯泡 教师讲解：观察滑动变阻器的结构，回答问题1， 电阻丝与画片接触的地方绝缘漆被割去，这样可以让电流通过滑片2， 下面两个接线柱的电阻是不变的，是滑动变阻器的最大电阻3， 上面两个接线柱的电阻很小，相当与0 设计实验回答问题1， 要使灯泡和滑动变阻器的电流相同应该是他俩串联2， 接一上一下两个接线柱3， 阻值最大的地方提出问题：设计实验电路图板书设计 板书设计 变阻器一，滑动变阻器：原理：改变连入电路的电阻长度 滑片，四个接线柱，金属杆，电阻丝 这是教案，希望能帮到你

如何从零开始学习电子电路？

这里有一份考研电路资料分享给你

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闫逸老师针对考研电路的考点，考试方向，考试方法等做了精准的分析和讲解，为电路考研指明了方向和方法，值得每一位电路考研人收藏学习；

若资源有问题欢迎追问！

virtuoso自学笔记

电子电路的学习，是一个很漫长的过程，需要大量的积累，很多朋友，学习多年，也没有真正入门。

首先：掌握电容、电阻、电感的特性和在电路中的作用，如电容的电压不能突变；电感的电流不能实变的原理。因为这是模拟电路，基本的元器件，只有熟悉了这些元器件的基本作用，掌握了常规的判断方法，才能够看懂原理图。

01、电阻作用：标准电阻的主要作用是发热，跟其他元件并联时，电阻可以分流。跟其他元件串联时，电阻可以分压。

02、电容作用：1、滤波、2、旁路、3、去耦、4、储能、5、耦合、6、谐振、7、时间常数作为延时使用。

其次，弄请二极管、稳压管的工作原理(单向导电及齐纳特性)；三极管的放大原理，熟知三极管的三种电路：放大电路、开关电路、振荡电路的原理(电路中的正反馈和负反馈的原理与特性)；

二极管作用：二极管在电路中的应用是必不可少的,无论是做整流电路还是钳位作用还是其他的一些作用,都会用到它。

三极管的作用：三极管有三种工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。当三极管用于不同目的时，它的工作状态是不同的。

最后：运用以上知识，多专研分立元件搭建的电路，进行分折，先简单后复杂。看别人的电路为何这样设计，各元件在电路中的作用。然后，多做笔记，开始硬件电路知识积累，慢慢的，懂得多了，就会一点点入门。

以反相器为例。

Tool → Library manager

选中一个库

File → new → cell view

新建一个库，向库中新建cell，新建cell后会自动弹出原理图绘制界面

先画原理图：

快捷键介绍：

（1）添加元器件：i，左键放置、右键旋转、Esc推出载入

（2）查看器件参数值：选中某元件后按q

（3）保存电路原理图：x

（4）撤销上次操作：u

（5）居中显示原理图：f

（6）缩小显示窗口：[

（7）放大显示窗口：]

（8）退出：Esc

（9）移动pin：选中后按键盘的shift+m，单击右键是旋转

注意：pin命名最好大写（因为有些工艺制程下进行LVS/DRC检测的时候，只认大写）

原理图画完之后，要建立symbol用于仿真：

随后要基于建立的symbol，画testbench

画testbench时需要对具体工作情景建模，然后选择相应的器件。

从芯片外部引入的电源和地，会存在封装上引线的电感，对于这个电感的模型是需要模拟出来的，在电路仿真中需要把这个电感的模型带入到testbench中，在这里要添加一个理想的电感。

对于常规的QFNQFP的封装，1um bonding线（金线）等效的电感值在1nH左右、等效阻抗50mΩ，连在引脚上的电源的引线大概有2um左右，由于地线不是直接bonding到封装的管脚上，而是bounding到芯片背面大片的金属地上，这是个单bond、引线电感会小一些，一般在1mm以内，设为1nH，阻抗50mΩ

（10）引线命名：l（小写的L）

（11）进入下一层：e

（12）返回上一层：ctrl+e

（13）电感：ind，电容：cap，电压脉冲发生器：vpulse

观察输出波形，需要增加元器件电容，作为输出的负载。

仿真：Tools → analog environment，这里进行了直流仿真和瞬态仿真

Print直流工作点的方法：

画图方法：

有两种画图风格可供选择：

inverter仿真；减小P管宽长比带来的影响（蓝色），翻转阈值下降了（可以理解成PMOS需要更低的栅极电压才可以开启）

基于原理图生成版图：

LSW：版图设计时所有层的信息

深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。于一般的PMOS而言，可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。DNW里边的P-sub与外界的P-sub是隔离的，因此能削弱相互之间的影响。因为这个阱比一般的N well要深很多，所以称为deep N well。除了电位上的隔离，比如说有好几种地电位（0V、-33V、-6V等），一般会把害怕被别的模块影响（reference电路、temperature sensor等）或者怕会去影响别的模块的IP（PLL、OSC等）放在DNW里面。

本工艺下用到的是1P6M的配置，只用到了M1~M6，1层多晶硅，6层金属互连层，

eg：

v1：M1到M2之间的过孔

v2：M2到M3之间的过孔

（14）显示版图的所有层次：shift + f

（15）以框图显示版图：ctrl + f

打散Pcell：

设置格点分辨率：

显示连线关系：

options→display

（16）连线快捷键：p（敲p后点击连接起始端，选择要连的层，再单击结束端，再回车结束）

（17）尺子：k

（18）清除尺子：shift + k

（19）画矩形：r

（20）逐步缩小版图：shift + z

（21）只看某一层：(例如只看M1)LSW窗口选中M1，点击NV，点击版图界面，敲f

（22）整体移动版图某区域，且相应线拉伸：先将selection mode（options→selection）由full改为partial，然后左键框选相应区域，敲s后拖动到相应位置后，左键取消选中

衬底接触环（N阱保护环），guard ring