Vin是直流输入电源电压，Vo是直流输出电源电压，Vo为某一个直流负载供电，图中没画出来。
该电路如图中已注释，是防止输入电源极性反接从而对负载产生危害。
当输入电源电压极性如图连接时是正确的，R1、R2电阻和稳压管电路产出的控制电压是MOS管进入饱和状态，相当于是一个导通的开关（电力电子开关），输出电源，既负载上的电压近似等于输入电压（大概小1V，MOS管管压降引起的）；电流流向是：+Vin、+Vo、负载、-Vo、MOS管、-Vin
当输入电源电压极性相反时，R1、R2电阻和稳压管电路提供给MOS管的控制电压是负的，MOS管不会导通，进入截止状态，相当于是一个关断不通的开关，阻抗可以认为是无穷大，由其承担全部的输入电源电压值，输出电源近似为零，既负载上没有电压，更不会出现负电压，从而保护了负载，负载中没有电流流过（可能有很小很小的电流，是MOS管关断时的漏电流）。
图中电路错误：图中MOS管图形符号中带箭头的端子应与S端子相连；图中S端和D端接反了。
我需要一个MOS管作为开关的电路图
P沟道MOS管开关电路图：
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
可行的。
S接VCC G接控制管脚，如果你是51类的单片机，最好在GS之间接一个上拉电阻。
D就是受单片机控制了。高电平关断，低电平导通
但你不能用它来控制单片机本身
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