单片机pwm驱动mos管的问题

MOS管内阻很小，普通的有 40mΩ 左右，导通电流支持20A；好的能到4mΩ左右，导通电流支持80A；

10A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为2.1V~4V，标称3V；3.7V的锂电池，饱和是4.2V，选择3.3V工作的单片机，足够驱动了。

真正要考虑的是电池的负载能力，10A的瞬态输出，及3A的持续输出，电池负载能力不足的话，电压会瞬间跌落，很可能低于3V。解决方法：

①增大电源电路的退耦电容容量；

优点：在电池电压下跌的瞬间，释放大量电量维持电压，保持单片机正常工作；

缺点：治标不治本，电容电量来自电池，充电时会消耗大量电池电量，需要常充电的电池；

②采用负载输出能力强的电池；

优点：从根本上解决负载能力不足导致电压下跌的现象；

缺点：造价不便宜；

输入是2-3脚，功能与普通的光耦一样，只是速度上高一点

输出是6-7脚，驱动IGBT比较适合，里面是集成电路，电流稍微比普通光耦电流大一些，所以它上下（VCC,VEE）是适合宽电压

其实就是说它的驱动能力强，带保护，宽电压，适合高频率，耐压高，适合IGBT

驱动MOS嘛，你用521就行了，比较灵活，还不贵