贴片二极管、三级管代码的识别！？

EH 1SS365 Si-diode SBD, VHF/UHF-det/mix, 10V, 35mA, VF<0.42V(1mA), <0.85pF CP

EH AP1703BTW Vdet-IC 4.38V, -Reset PPO TSOT23-3L

EH AP1703BW Vdet-IC 4.38V, -Reset PPO SOT-23-3L

EH BCW66H Si-npn AF, 75V, 800mA, 330mW, B=250..630, >100MHz SOT-23

EH SiP809CMEUEDT Vdet-IC 4.38V, -Reset PPO 150ms SOT-23

EH TS809RCXB Vdet-IC 4.38V, -Reset PPO SOT-23

EH 2SB1027-H Si-pnp AF, 180V, 1.5A, 1W, B=60..120, >100MHz SOT-89

EH– RT9261A-32PX DC/DC-IC VFM step-up, 3.2V± 2%, 50mA SOT-89

JM 2SC2059K-M Si-npn RF-amp, 25V, 20mA, 150mW, B=39..82, >500MHz SC-59 1

JM 2SC4099-M Si-npn HF, 25V, 20mA, 150mW, B=39..82, >500MHz SOT-323

JM 2SC4649-M Si-npn RF-amp, 25V, 20mA, 150mW, B=39..82, >500MHz EM3

JM DZ23C3V3 Z-diode Dual, 3.1..3.5V, Izt=5.0mA, Zzt=80Ω, 300mW SOD-23

JM ETC810MU Vdet-IC 4.38V, +Reset PPO SOT-23

JM MIC810MU Vdet-IC 4.38V, +Reset PPO SOT-23

JM– RT9818E-36PV Vdet-IC 3.6V±1.5%, +Reset ODO SOT-23

JM 2SJ561 MOS-p-FET-e* Sw, U-Sp, LogL, 30V, 1.5A, 1.3W, <0.6Ω(0.75A), 6/20ns PCP

JM AP1115AY-30 LVR-IC LDO, 3V±2%, 600mA SOT-89

JM AP1115BY-30 LVR-IC LDO, 3V±2%, 600mA SOT-89

JM RT9166-18CX LVR-IC LDO, 1.8V±2%, 300mA SOT-89

JM– RT9166-18PX LVR-IC LDO, 1.8V±2%, 300mA SOT-89

KF 2SJ168 p-FET Sw, 60V, 200mA, 400mW, 0.2Ω, 14/100n s SOT-323

KF DZ23C10 Z-diode Dual, 9.4..10.6V, Izt=5.0mA, Zzt=5.2Ω, 300mW SOD-23

KF ELM7625HDB Vdet-IC 2.5V±2%, +Reset PPO, 50ms SOT-23

KF UNR32AL Si-npn-Digi Sw, 50V, 80mA, 100mW, 150MHz, R1/R2=4.7k/4.7k SSSMini3

ZCA KN3904S Si-npn GP, 60V, 200mA, 250mW, B=100..300, >300MHz SOT-23

KF 2SK1724 MOS-n-FET* LogL, Sw, 30V, 1A, 3.5W, <0.75Ω(500mA), 5/30ns SOT-89

S2A CH3906PT Si-pnp AF, Sw, 40V, 200mA, B=1 00..300, 250MHz SOT-23

S2A CH3906PT Si-pnp AF, Sw, 40V, 200mA, B=1 00..300, 250MHz SC-59

s2A SMBT3906 Si-pnp GP, 40V, 200mA 250MHz, B=100..300 SOT-23

s2A SMBT3906S Si-pnp GP, 40V, 200mA, 330mW, B=100..300, >250MHz

1AM PZT3904 Si-npn Sw, 60V, 100mA, 1.2W, B=100..300, >300MHz SOT-223

你自己对着看吧，贴片元件的编号是一多、二乱、各厂商各行其是，好像没有规则可循。同样的丝印，不同的封装都不一样。

NC 6400 运行速度很慢

机型 HP COMPAD NC6400

芯片组：945PM+GBM板号：LA-2952

故障表现：开机后运行速度很慢，点亮到进入系统要5分钟。

维修过程根据客户反映用着就变慢了，很慢了。拆机目测主板没有被维修的痕迹，也无明显腐蚀和进水的样子。既然是能点亮的机器那么芯片组方面的问题，暂时排除。根据DELL某机芯的启发，怀疑是适配器检测电路出了问题。KBC不能正常的识别到适配器的存在，将CPU降频使用，所长产生了运行速度很慢的表现。首先是适配器由PCN1电源接口接入主板，ADPIN为接口内壁电压为18.5V经过PL1为VIN状态电压为主板供电，而中间那个针的电压为6.5V名称为ADP_SIGNAL。ADP_SIGNAL连接到PU25这个LM393电压比较器，VIN为其提供工作电压。PQ62是增强型P沟道MOS，根据图2可知：PU25A第3脚电压等于ADP_SIGNAL电压约为6.5V，第2脚电压为VIN经两电阻分压而来他的电压可以计算而来根据欧姆定律可知I=U/R，该电路中两个电阻串联所以其电阻R=PR224+PR236=32.6K欧。假定VIN=18.5V因此

I=18.5/32.6K4 既然已经算出串联电路的电流值，那么根据欧姆定律可以计算出PR236上的电压为:UPR236 =10k*18.5/32.6k=185/32.6=5.67v7 根据上文的简单计算可以将分压公司化简为Upr236=VIN*PR236/PR236+PR224LM393此时第3脚电压和第2脚电压比较，6.5>5.7V所以在第5脚上有由+3VALW上拉的高电平ADP_ID送到KBC因此在这里可以推导出 当VIN异常时大于多少V此时就会不输出ADP_ID到KBC，设异常状态的电压为X可方程X*10K/32.6K=6.5

X/3.26=6.5: X=21.19 当适配器异常时候VIN电压大于21.2V可能会导致主板不能触发或其他异常情况那么PU25B的比较状态是，ADP_SIGNAL到第6脚，VIN经两电阻分压到5脚通过计算可知PU25第5脚电压为4.67V，第6脚为6.5V所以会拉低第7脚的电压此时ADP_EN#为0V与GND相连。ADP_EN#沟通隔离管PD7控制PQ3的导通，PQ3是增强型P沟道MOS，需要第4脚电压为低时导通出P2状态电压

P2电压到达PQ4上，PQ也是P管，此时G级的ACDRV#是低电平因此顺利输出B+。此时的冲放电芯片BQ24703的VCC上也有主供电。此时系统电源芯片MAX1999得到B+也产生了5V的VL电压，ON3和ON5保持高电平待机的 +3VALWP和+5VALWP得以产生在另一个比较器PU3A上，第三脚电压为1.85V，第2脚有5V上拉所以第1脚为低电平此时的ACDET为低，到PU4非门，将其翻转输出3.3V的ADP_PERS到BQ24703，当ACDET比ADP_PERS电压小时，BQ23703将ACDRV#电压保持9V左右让P管顺利保持B+电压现在让我们回到原来适配器检测部分来，实测PQ62正常，D级电压为0V。但是PD25的第1脚电压却为18V。让我们分析一下该电压为18V会导致那些信号异常。PQ58的C级出18V，会送至PU21的第5脚，18V的肯定大于第6脚-级因此输出7脚18V到PU24这里。分别送至2个比较器的—级，可怜此时的+级电压由+3V和+5V上拉，完全没有比较的余地，输出低电平状态ADP_PS0和ADP_PS1这个两个信号也是连接到KBC的继而追其18V的来由，发现PQ58是PNP结果的三极管，此时B级有18.5V的高电平，为何还C级还出18V，所以判断PQ58损，跟换PNP三极管后C级电压为0V在测PU21的第5脚电压为0V，第6脚为0V，第7脚输出低电平PU24此时的第2脚和第6脚都为低电平，第3脚和第5脚电压都为0.9V，所以此时的( ADP_PS0和ADP_PS1都为3.3V的高电平发往KBC，装机进入系统30秒。故障修复