内存条芯片参数
整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。
颗粒编号解释如下:
1. HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。
2. 内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM)
3. 处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4. 芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)
5. 内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)
6. 内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)
7. 接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)
8. 内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)
9. 能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型)
10. 封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))
11. 封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))
12. 封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)
13. 速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M=DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)
14. 工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))
由上面14条注解,我们不难发现,其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义,就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字,它将明确的告诉消费者,这款内存实际的最高工作状态是多少。假如,消费者买到一款这里显示为L的产品(也就是说,它只支持DDR 200的工作频率),那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好,它也只是一款低档产品。
常见SDRAM 编号识别
维修SDRAM内存条时,首先要明白内存芯片编号的含义,在其编号中包括以下几个内容:厂商名称(代号)、容量、类型、工作速度等,有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较,就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。
(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下:
▲ HY HYUNDAI ------- 现代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西门子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 东芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 胜创
(2)内存芯片速度编号解释如下:
★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.
★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.
★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns.
★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.
(3) 编 号 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示电压,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示带宽。
f表示界面,0—LVTTL; 1—SSTL(3); 2—SSTL_2.
g表示版本号,B—第三代。
h表示电源功耗, L—低功耗; 空白—普通型。
ii表示封装形式, TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度,7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例:1) HY57V651620B TC-75
按照解释该内存条应为:SDRAM, 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解释该内存条应为:SDRAM, 3.3V, 64M, 143MHZ
全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾):
序号 品牌 国家/地区 标识 备注
1 三星 韩国 SAMSUNG
2 现代 韩国 HY
3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并
4 迈克龙 美国 MT
5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并
6 日电 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 冲电气 日本 OKI
9 东芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西门子 德国 SIEMENS
12 联华 台湾 UMC
13 南亚 台湾 NANYA
14 茂矽 台湾 MOSEI
SAMSUNG内存
体含义解释:
例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含义:
第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4,代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率,容量相同的内存采用不同的刷新速率,也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数,08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率,如60为6ns;70为 7ns;7B为7.5ns (CL=3);7C为7.5ns (CL=2) ;80为 8ns;10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义,拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存,使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits,第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽,这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位) × 16片/8bits=256MB(兆字节)。
注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC校验码。通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
Hynix(Hyundai)现代
现代内存的含义:
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是现代的产品
2、内存芯片类型:(57=SDRAM,5D=DDR SDRAM);
3、工作电压:空白=5V,V=3.3V,U=2.5V
4、芯片容量和刷新速率:16=16Mbits、4K Ref;64=64Mbits、8K Ref;65=64Mbits、4K Ref;128=128Mbits、8K Ref;129=128Mbits、4K Ref;256=256Mbits、16K Ref;257=256Mbits、8K Ref
5、代表芯片输出的数据位宽:40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、BANK数量:1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的幂次关系
7、I/O界面:1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2
8、芯片内核版本:可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新
9、代表功耗:L=低功耗芯片,空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式:JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ
11、工作速度:55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A
Infineon(亿恒)
Infineon是德国西门子的一个分公司,目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量:容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少,辨别也是最容易的。
HYB39S128400即128MB/ 4bits,“128”标识的是该颗粒的容量,后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此,如:HYB39S128800即128MB/8bits;HYB39S128160即128MB/16bits;HYB39S256800即256MB/8bits。
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线,然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz;
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
例如:
1条Kingston的内存条,采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位)×16片/8=256MB(兆字节)。
1条Ramaxel的内存条,采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为: 128Mbits(兆数位) × 8 片/8=128MB(兆字节)。
KINGMAX、kti
KINGMAX内存的说明
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny ball grid array)。并且该封装模式是专利产品,所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注:
KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间 × 4位数据宽度;
KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间 × 8位数据宽度;
KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间 × 4位数据宽度;
KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间 × 8位数据宽度;
KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率:
-7A——PC133 /CL=2;
-7——PC133 /CL=3;
-8A——PC100/ CL=2;
-8——PC100 /CL=3。
例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造,其容量计算为: 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。
Micron(美光)
以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义:
MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。48代表SDRAM;46 代表DDR。
LC——供电电压。LC代表3V;C 代表5V;V 代表2.5V。
16M8——内存颗粒容量为128Mbits,计算方法是:16M(地址)×8位数据宽度。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式,TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率,-75即133MHz;-65即150MHz。
实例:一条Micron DDR内存条,采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
其容量计算为:容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB(兆字节)。
Winbond(华邦)
含义说明:
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5
1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
2、代表显存类型:98为SDRAM,94为DDR RAM
3、代表颗粒的版本号:常见的版本号为B和H;
4、代表封装,H为TSOP封装,B为BGA封装,D为LQFP封装
5、工作频率:0:10ns、100MHz;8:8ns、125MHz;Z:7.5ns、133MHz;Y:6.7ns、150MHz;6:6ns、166MHz;5:5ns、200MHz
内存条不稳定的原因分析及解决方法
1、电压
市电电压过大的波动,或者PC机上使用劣质电源,也会给内存带来损害,有时候这种损害可能是马上显现出来,而另一些情况则可以是长期的、逐渐的降低内存的电气指数。另外,长期对内存采用加压超频的方法也同样会损害内存。
2、静电
静电是导致内存模块损坏的最主要因素。因此,在安装或卸载内存模块时,如果有条件可以使用防静电手环,不然,接触内存模块前要采取一定手段将身上的静电散去,如摸一下接地的金属制品象暖气管道之类。
3、工作环境
如果PC机箱内充满灰尘,或者PC工作环境相对潮湿,那么,长期工作在这类环境因素下,内存模块的寿命会大大降低。另外,如果PC散热不好的话,内存长期工作在高温下,无论相应的热量是由内存模块还是周围部件产生,也会缩短其寿命。
4、主板内存插槽和内存周边电路
主板内存插槽在大力的拔插下同样可能损害,而主板上电路也同样会因上文提及的因素而损坏,而很多时候这种情况下症状与内存模块损坏的症状很难区分,只能采取替换法才能确诊。
扩展资料:
电脑内存条常见故障检修:
一、Windows经常自动进入安全模式
此类故障一般是由于主板与内存条不兼容或内存条质量不佳引起,常见于高频率的内存用于某些不支持此频率内存条的主板上,可以尝试在CMOS设置内降低内存读取速度看能否解决问题,如若不行,那就只有更换内存条了。
二、随机性死机
此类故障一般是由于采用了几种不同芯片的内存条,由于各内存条速度不同产生一个时间差从而导致死机,对此可以在CMOS设置内降低内存速度予以解决,否则,唯有使用同型号内存。还有一种可能就是内存条与主板不兼容,此类现象一般少见,另外也有可能是内存条与主板接触不良引起电脑随机性死机。
三、内存加大后系统资源反而降低
此类现象一般是由于主板与内存不兼容引起,常见于高频率的内存内存条用于某些不支持此频率的内存条的主板上,当出现这样的故障后你可以试着在COMS中将内存的速度设置得低一点试试。
内存是计算机中重要的部件之一,它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的,因此内存的性能对计算机的影响非常大。 内存(Memory)也被称为内存储器,其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据,以及与硬盘等外部存储器交换的数据。下面是我收集整理的内存条不稳定的原因分析及解决方法,欢迎阅读。
内存条不稳定的原因分析及解决方法:首先查明下你的内存芯片,如果是ddr1代的话再看下你的原装内存的频率是多少,是333还是400?
建议老笔记本(一般都用的INTEL的芯片组)换内存的话要么就两根一样芯片的内存,要么就直接上一根大点的内存!
你的问题初步判断为新内存和主板的不兼容问题.
小概率为你主板内存插槽有问题!
建议:先单独插原装内存和之后买的内存运行下看是否有问题.
如果都有问题,你可以送维修点了.
附加关于内存的分析:
内存是计算机中重要的部件之一,它是与CPU进行沟通的桥梁。计算机中所有程序的运行都是在内存中进行的,因此内存的性能对计算机的影响非常大。 内存(Memory)也被称为内存储器,其作用是用于暂时存放CPU中的运算数据,以及与硬盘等外部存储器交换的数据。
只要计算机在运行中,CPU就会把需要运算的数据调到内存中进行运算,当运算完成后CPU再将结果传送出来,内存的运行也决定了计算机的稳定运行。 内存是由内存芯片、电路板、金手指等部分组成的。
在计算机的组成结构中,有一个很重要的部分,就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件,对于计算机来说,有了存储器,才有记忆功能,才能保证正常工作。存储器的种类很多,按其用途可分为主存储器和辅助存储器,主存储器又称内存储器(简称内存,港台称之为记忆体)。 内存
内存又称主存,是CPU能直接寻址的存储空间,由半导体器件制成。内存的特点是存取速率快。内存是电脑中的主要部件,它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序,如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等,一般都是安装在硬盘等外存上的,但仅此是不能使用其功能的,必须把它们调入内存中运行,才能真正使用其功能,我们平时输入一段文字,或玩一个游戏,其实都是在内存中进行的.。
就好比在一个书房里,存放书籍的书架和书柜相当于电脑的外存,而我们工作的办公桌就是内存。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上,而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上,当然内存的好坏会直接影响电脑的运行速度。
内存就是暂时存储程序以及数据的地方,比如当我们在使用WPS处理文稿时,当你在键盘上敲入字符时,它就被存入内存中,当你选择存盘时,内存中的数据才会被存入硬(磁)盘。在进一步理解它之前,还应认识一下它的物理概念。 DDR 和DDR2 技术对比的数据
内存一般采用半导体存储单元,包括随机存储器(RAM),只读存储器(ROM),以及高速缓存(CACHE)。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。(synchronous)SDRAM 同步动态随机存取存储器:SDRAM为168脚,这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。
SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使CPU和RAM能够共享一个时钟周期,以相同的速度同步工作,每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据,速度比EDO内存提高50%。DDR(DOUBLE DATA RATE)RAM :SDRAM的更新换代产品,他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。
附加电脑内存增加后系统不稳定的解决方法:
在计算机工作时不要让内存过热。内存过热就容易引发各种故障,比如提示内存错误、计算机重新启动等,而且还有可能损坏内存,因此一定要注意内存的散热降温。
降频使用。现在的主板都可以调节内存频率和电压,可以让内存工作在较高或较低的频率上。如果发现内存不稳定,就可以将内存的频率和电压降下来使用,同时还可以使内存少发出热量。
不要混用不同的内存。如果内存的品牌或型号不同,电压等各参数也可能不同,混用时就容易出现内存不兼容的情况,从而造成操作系统不稳定。
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