什么是晶体管?

晶体管是什么?

晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。 虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，绝大多数的晶体管是和二极管|-{A|zh-:二极管;zh-tw:二极体}-，电阻，电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的生本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达2.89亿个。 晶体管的低成本，灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜，更有效地仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。 因为晶体管的低成本和后来的电子计算机，数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在-{A|zh-:信息;zh-tw:资讯}--{A|zh-:数字;zh-tw:数位}-化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视，广播和报纸

晶体管的作用是什么

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。

半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管[font color=#000000]是电路中[/font]应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。

半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称路最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。

晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性，主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程，进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。

虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，但是绝大多数的晶体管是和电阻、电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的成本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达2.89亿个。

晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。

因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视、广播和报纸。

参考资料：

baike.baidu/view/30363...

三极管与晶体管有什么区别

所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件，研制人员在为这种器件命名时，想到它的电阻变换特性，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transistor，中文译名就是晶体管。

严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。因此，三极管是晶体管的一种。

在日常生活中，晶体管有时多指晶体三极管。比如我们说的6晶体管超外差式中波收音机，实际是指6三极管超外差式中波收音机。

晶体管有什么用途

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

用途：

控制大功率

现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是；

(1)容易关断，所需要的辅助元器件少，

(2)开关迅速，能在很高的频率下工作，

(3)可得到的器件耐压范围从100V到700V，应有尽有．

几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如

(1)开关晶体管有效芯片面积的增加，

(2)技术上的简化，

(3)晶体管的复合——达林顿，

(4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。、

直接工作在整流380V市电上的晶体管功率开关

晶体管复合(达林顿)和并联都是有效地增加晶体管开关能力的方法。

在这样的大功率电路中，存在的主要问题是布线。很高的开关速度能在很短的连接线上产生相当高的干扰电压。

简单和优化的基极驱动造就的高性能

今日的基极驱动电路不仅驱动功率晶体管，还保护功率晶体管，称之为“非集中保护” (和集中保护对照)。集成驱动电路的功能包括：

(1)开通和关断功率开关；

(2)监控辅助电源电压；

(3)限制最大和最小脉冲宽度；

(4)热保护；

(5)监控开关的饱和压降。

"晶体管"和"芯片"都是什么?

芯片是由很多的晶体管及其他电子元件集成在一个硅片上的大规模集成电路，而晶体管是由半导体材料制成的管子如三极管二极管等(在我们日常接触的物质中，一类电阻率很低，容易导电的金属，属地如金，银，铜，铁，铝，等，这类物质叫做导体，另一类电阻率很高，如：玻璃，璃窗，木，畅类物质叫做绝源体，但是在自然界里还有一种物质在这二种情况之间的，我们把它叫做半导体，目前制造半导体的材料主要有：锗，硅，硒等等)

晶体管是什么材质做的

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。

晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。

晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(base) 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器）。

晶体管和二级管是一回事吗

利用半导体材料可以制造二极管、三极管、场效应管等多种器件。

在很多书上人们将半导体三极管简称为“晶体管”，（比如础晶体管放大电路，就是三极管放大电路）一般没有人将二极管这样简称。

所以，按一般理解，晶体管是指三极管，当然和二极管不是一回事。

什么是单极型晶体管和双极型晶体管？

一、单极型晶体管

单极型晶体管也称场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。 特点：

输入电阻高，可达107 ~ 1015 Ω，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 1015 Ω。

噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。 分类：

根据材料的不同可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应管IGFET(Insulated Gate FET) 。 二、双极型晶体管

双极型晶体管也称晶体三极管，它是一种电流控制型器件，由输入电流控制输出电流，其本身具有电流放大作用。它工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称为双极型三极管。 特点：

三极管可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。 分类：

根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。

硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。

什么是晶体管？二极管，三极管是不是就是晶体管？

晶体管是指用锗或硅半导体材料制成的电子元件，晶体管包括三极管和二极管。

点触式晶体管是什么?

一个点接触电晶体是固态电子晶体管第一类是有史以来建造的。它是由研究人员约翰巴丁和沃尔特来登在贝尔实验室在1947年12月。他们的工作与物理学家威廉布拉德福德肖克利，谁不想发明分享信贷。这三人是一起进行的固态材料电场效应理论。

实验包括1块锗有两个非常密集的黄金持有反对弹簧接触。布拉坦并随附了一个塑料三角点金箔小带状配置基本上是点接触二极管。然后，他仔细地切片通过黄金三角的一角。这产生两个电气隔离黄金接触非常接近对方。

一个早期的晶体管模型

锗是一种半导体，因此它可以允许电流通过它，或让没有通过。该作品用了一个电子的过量表面层，称为N型锗。当一个电子信号穿过金箔它注入孔（点缺乏电子的）。这造成了薄薄的一层已经建立了一个电子稀缺。

小正电流适用于两个接触一个人对现行的与其他接触和所依据的锗块装基地是流入的影响。事实上，在第一次接触改变目前小，造成了第二次接触更大的变化电流，因此它是一个放大器。第一次接触是“发射”，第二个接触是“收藏家”。今天的双极晶体管的三个码头的术语是基础，发射极和集电极。低到点接触晶体管电流输入端是发射极，而产量高电流终端的基极和集电极。这从后来结型晶体管不同，1951年发明了现代晶体管做什么，低为基础，两个高电流输出端电流输入端是发射极和集电极运作。

点接触晶体管的商业化和西方电气等公司出售的，但较快的晶体管取代，因为这以后类型是易于制造，而且更加坚固。锗是广泛采用的两个晶体管的制造几十年。它几乎已经完全取代硅和其他合金材料，但是在使用的仍然是在二极管，如高精度传感器，其中包括所用的辐射计数器。

书名:现代电力电子技术基础

图书编号:1208240

出版社:高等教育出版社

定价:16.8

ISBN:704007470

作者:张立编

出版日期:2003-04-01

版次:1 第一章绪论

第一节电力电子技术回顾

第二节电力电子器件

第三节电力电子电路

第四节电力电子技术展望

第二章整流二极管

第一节普通硅整流管

第二节快速恢复二极管

第三节功率肖特基二极管

第三章电力晶体管

第一节工作原理

第二节静态特性与参数

第三节动态特性与参数

第四节二次击穿与安全工作区

第五节基极驱动电路

第六节达林顿GTR与GTR模块

第四章可关断晶闸管

第一节SCR的原理及特性

第二节GTO的工作原理

第三节GTO的特性

第四节GTO的门极驱动

第五章功率场效应晶体管

第一节基本工作原理

第二节基本特性

第三节安全工作区

第四节主要参数

第五节应用技术

第六章绝缘栅极晶体管

第一节工作原理

第二节静态特性与参数

第三节动态特性与参数

第四节擎住效应与安全工作区

第五节栅极驱动电路

第六节IGBT的保护措施

第七章静电感应晶体管及其他新型器件

第一节静电感应晶体管

第二节静电感应晶闸管

第三节MOS控制晶闸管

第四节功率集成电路

第八章各类器件共性应用技术

第一节散热技术

第二节缓冲电路

第三节串联运行

第四节并联运行

第九章相位控制变换电路

第一节相控电路的整流运行

第二节单相全波可控整流电路

第三节三相可控整流电路

第四节相控电路的逆变运行

第五节相控电路的换相重叠角

第十章直流斩波变换电路

第一节斩波电路的基本工作原理

第二节降压斩波变换电路

第三节升压斩波变换电路

第四节降压—升压斩波变换电路

第五节库克变换电路

第六节全桥DC—DC变换电路

第七节各种DC—DC变换电路的比较

第十一章　交流逆变变换电路

第一节基本原理及其应用

第二节单相逆变电路

第三节三相逆变电路

第四节脉宽调制(PWM)逆变电路

第十二章　谐振软开关变换电路

第一节零电流和零电压开关

第二节负载谐振变换电路

第三节软开关DC—DC变换电路

第四节谐振直流环DC—AC变换电路

第十三章　电力公害及其抑制对策

第一节电力公害及其分类

第二节谐波的产生及其抑制

第三节电力有源滤波器

第四节提高功率因数对策

第五节电磁干扰及其抑制措施