DDR3L（低电压版）1600MHz与DDR3

1、工作电压不同

DDR3电压为1.5V，DDR3L电压为1.35V。

2、兼容性不同

DDR3和DDR3L在大多数情况下是兼容的，但它们与Haswell平台上的IntelHaswl处理器不完全兼容，为了更好地降低功耗，intelhaswl只支持ddr3l内存类型，但不支持ddr3。

3、优点不同

DDR3内存使用1.5V工作电压，而DDR3L内存使用1.35V工作电压，ddr3l低电压存储器的能量效率比ddr3标准电压存储器高2w。

4、性能不同

DDR3标准内存索引DDR3L低压内存，性能约为10-15%。

5、价格差

DDR3L低压存储指示灯DDR3标准压力存储器便宜一点

扩展资料：

存储器是计算机中最重要的组成部分之一，是与cpu通信的桥梁，计算机中的所有程序都在内存中运行，因此内存的性能对计算机有很大的影响，存储器又称为存储器存储器，用于将操作数据暂时存储在cpu中，并与硬盘等外部存储器交换数据。

只要计算机正在运行，CPU就会将数据传输到内存中进行操作，当操作完成时，CPU将传送结果，存储器的操作也决定了计算机的稳定运行，存储器由存储器芯片、电路板、金手指等部分组成。

内存的主频与CPU的主频相同，它用来表示存储器的速度，它代表存储器的最高工作频率，存储器的主频以兆赫为单位，内存的主频越高，在某种程度上，内存可以实现得越快，存储器的主频决定了存储器能够正常工作的最高频率。

目前较为主流的内存频率是1600MHz和2400MHz的DDR内存，667MHz、800MHz和1066MHz的DDR2内存，1066MHz、1333MHz、1600MHz的DDR3内存，2133MHz、2400MHz、2666MHz、2800MHz、3000MHz、3200MHz的DDR4内存。

百度百科-DDR3

DDR DDR2 DDR3 GDDR3

ddr3低电压跟普通的有什么区别

DDR3低电压和普通DDR3之间的区别主要在于电压和能耗方面。

DDR3低电压（LV）的电压为1.35伏特，而普通DDR3的电压为1.5伏特。这意味着DDR3低电压模块在工作时能耗更低，发热量也相应减少，这有助于降低系统的功耗和温度。

DDR3低电压模块的另一个优势是在超频方面。由于低电压带来的电流较小，所以DDR3低电压模块具有更好的超频潜力。此外，DDR3低电压模块也比普通DDR3模块更稳定，因为低电压不容易导致电路噪声和干扰。

需要注意的是，DDR3低电压和普通DDR3并不兼容。在选择内存时，需要根据主板支持的标准来确定采用哪种类型的内存。

严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。

DDR2的定义：

DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

DDR3比DDR2拥有更高频率的优势。目前DDR2尚未完全取代DDR内存，在目前的整机环境下，DDR2基本能够满足各类型计算机的应用需求，那么最新一代的DDR3相比DDR2具有哪些优势，使得包括Intel和AMD以及A-DATA在内的众多国际顶级厂商都致力于DDR3的开发与应用呢？由于DDR2的数据传输频率发展到800MHz时，其内核工作频率已经达到了200MHz，因此，再向上提升较为困难，这就需要采用新的技术来保证速度的可持续发展性。另外，也是由于速度提高的缘故，内存的地址/命令与控制总线需要有全新的拓朴结构，而且业界也要求内存要具有更低的能耗，所以，DDR3要满足的需求就是： 1．更高的外部数据传输率 2．更先进的地址/命令与控制总线的拓朴架构 3．在保证性能的同时将能耗进一步降低 为了满足上述要求，DDR3在DDR2的基础上采用了以下新型设计： 1．8bit预取设计，而DDR2为4bit预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。 2．采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。 3．采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置（Reset）与ZQ校准功能。

DDR3与DDR2几个主要的不同之处：突发长度（Burst Length，BL） 由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。寻址时序（Timing） 就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。 DDR3新增的重置（Reset）功能 重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有操作，并切换至最少量活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。 DDR3新增ZQ校准功能 ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256个时钟周期、在其它情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。参考电压分成两个 在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。点对点连接（Point-to-Point，P2P） 这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存信道打交道，而且这个内存信道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模块之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模块），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模块），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模块方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本计算机）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。面向64位构架的DDR3显然在频率和速度上拥有更多的优势，此外，由于DDR3所采用的根据温度自动自刷新、局部自刷新等其它一些功能，在功耗方面DDR3也要出色得多，因此，它可能首先受到移动设备的欢迎，就像最先迎接DDR2内存的不是台式机而是服务器一样。在CPU外频提升最迅速的PC台式机领域，DDR3未来也是一片光明。目前Intel预计在明年第二季所推出的新芯片-熊湖(Bear Lake)，其将支持DDR3规格，而AMD也预计同时在K9平台上支持DDR2及DDR3两种规格。

GDDR3是专门为显卡制定的DDR3内存，G就是graphics的简写

呵呵，都是晚上找来的资料，希望对你有帮助。