电导率 = （霍尔片长L*工作电流Is）/（电压U*霍尔片宽b*霍尔片高d）。
在实验仪器上，标注有霍尔片的规格，直接代入公式就行，注意单位的统一。
Is -- A ，U -- V，L d b --- cm，电导率 ---欧姆*cm
霍尔系数Rh＝U*d/IB，U为霍尔电压，单位mV，d为霍尔元件du厚度，单位为μm，I为工作电流，单位为mA，B为磁场强度，单位为T
载流子浓度n＝1/|Rh|
迁移率＝Kh*(L/l)*(I/U )
L为霍尔元件长度，U为工作电压，I为工作电流。
Kh为霍尔元件灵敏度，Kh＝U/IB, U为霍尔电压，I为工作电流，B为磁场强度
扩展资料：
在产生霍尔效应的同时，还伴随着各种附效应，所以实验测到的并不等于真实的霍尔电压值，而是包含着各种附效应所引起的附加电压。
不等势电压降，这是由于测量霍尔电压的电极和的位置很难做到在一个理想的等势面上，因此当有电流通过时，既使不加磁场也会产生附加的电压。但附加电压的符号只与电流的方向有关，与磁场的方向无关，因此，对此附加电压可通过改变的方向予以消除。
百度百科-霍尔效应实验
霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转.当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的积累,从而形成附加的横向电场.
通有电流 I 的金属或半导体板置于磁感强度为 B 的均匀磁场中,磁场的方向和电流方向垂直,在金属板的第三对表面间就显示出横向电势差 U H 的现象称为霍耳效应.U H 就称为霍耳电势差.
实验测定,霍耳电势差的大小,和电流 I 及磁感强度B成正比,而与板的厚度d 成反比.即霍耳电势差 UH = RHIB/d ,
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